주식투자를 위한 반도체 8공정의 이해 3단계 식각 공정

식각 공정

(Etching)

 

 

회로 패턴 중 액체 또는 기체를 이용해

 

불필요한 부분을 제거하는 공정.

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포토공정에서 형성된 감광액을 남겨둔 채

 

나머지 부분을 벗겨 냄으로써 회로를 형성합니다.

 

 

 

www.samsungsemiconstory.com/1667?category=779002

 

[반도체 8대 공정] 5탄, 반도체 회로패턴의 완성 '식각 공정'

 

식각 공정은 물질의 상태에 따라 두 가지로 나뉩니다.

 

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1. 습식 식각 (Wet etching)

화학적 반응을 이용해

 

적은 비용으로 쉽고 빠르게 공정 할 수 있는 반면

 

정확성이 좋지 않고 화학물질로 인한 웨이퍼 오염이 발생할 수 있으며

 

PR 밑부분 까지 식각함으로써, 무너지는 현상이 일어날 수 있습니다.

 

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2. 건식식각 (Dry etching)

플라즈마 식각이라고도 하며

 

비활성 기체의 플라즈마 상태를 이용하여

 

물리적,화학적 반응으로 식각 하는 방식.

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진공 챔버에 가스를 주입 후 전기 에너지를 공급하여

 

기체가 충돌하고 이온화됨으로써 '플라즈마 상태'가 되는데

 

플라즈마 상태에서 해리된 반응성 원자들이

 

웨이퍼를 덮고 있는 원자들을 표면에서 떨어져 나가게 합니다.

(어려워...)

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원하는 부분만 식각이 가능하기 때문에 정확성이 좋으며

 

미세한 패터닝도 가능하나

 

비용이 비싸고 속도가 느립니다.