주식투자를 위한 반도체 8공정의 이해 1단계 산화공정

※ 1단계 웨이퍼 공정을 제외한 7단계로 진행하겠습니다.

 

 

반도체의 제조과정은 크게

 

'전공정' '후공정'으로 

 

나눌 수 있습니다.

 

 

1. 전공정

 

웨이퍼 위에 미세한 반도체 회로를 만드는 과정

 

 

2. 후공정

 

웨이퍼를 낱개의 칩으로 잘라내는 포장 과정

 

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8대 공정이란

 

반도체가 만들어지는 과정을

 

대표적으로 8개의 단계로 나눈 것을 말합니다.

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산화 공정

 

 

800~1200도 사이의 고온에서

 

산소나 수증기를 통해

 

웨이퍼 표면에 얇고 균일한

 

실리콘 산화막을 형성하는 공정

 

산화막은 불순물이 이동하지 못하도록 차단하거나

 

표면을 보호하고

 

웨이퍼 위의 패턴들이

 

서로 닿지 않도록 분리하는 

 

절연막의 역할을 합니다.

 

열산화 방법은

 

크게 두 가지로 분류할 수 있습니다.

 

1. 습식 산화(Wet Oxidation)

 

산소와 수증기를 사용하여 산화막 성장 속도가 빠르고 두꺼운 막을 형성할 수 있지만,

건식에 비해 산화층의 밀도가 낮습니다.

 

2. 건식 산화(Dry Oxidation)

 

순수 산소만을 이용하여 성장 속도가 느려 주로 얇은 막을 형성할 때 쓰입니다.

성장 속도가 느릴수록 막의 두께를 조정하기 쉽기 때문에

전기적 특성이 좋은 산화물을 만들 수 있습니다.

 

산화막의 두께는 반도체 사이즈를 결정하는데

 

중요한 요소로 작용하기 때문에

 

산화 공정은 매우 정교하고

 

습식, 건식과 같은 변수가 있습니다.